Hersteller Produktnummer:
TSM1NB60LCW RPG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM1NB60LCW RPG-DG
Beschreibung:
600V, 0.55A, SINGLE N-CHANNEL PO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 230mA (Ta), 550mA (Tc) 10.4W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventar:
5000 Stück Neu Original Auf Lager
13240511
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TSM1NB60LCW RPG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
230mA (Ta), 550mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15Ohm @ 270mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
98 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
10.4W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
1801-TSM1NB60LCWRPGCT
1801-TSM1NB60LCWRPGTR
1801-TSM1NB60LCWRPGDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
DIGI-Zertifizierung
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